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学习一种氧化镓外延薄膜的制备方法
这是一种涉及半导体材料制备领域,公开了一种氧化镓外延膜的制备方法。该方法以*为镓源,氧气作为氧源,氩气作为运输气体,(0001)面Al2O3为衬底,采用等离子增强化学气相沉积法,衬底的加热温度在740‑900℃下,生长氧化镓外延薄膜。该方法借助辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应,进而实现薄膜材料生长,可以显著降低反应温度、提高薄膜沉积的效率和质量,制备的氧化镓外延膜性能优异,符合未来工业化量产的需求。
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