实践日志6

7.10  金华紫芯片科技有限公司

学习了解一种pn结型氧化镓基自供电紫外探测器及其制备方法

这是一种属于光电探测器技术领域,具体涉及一种pn结型氧化镓基自供电紫外探测器及其制备方法,探测器包含衬底、p‑Cr2O3层、n‑Ga2O3层、双层石墨烯层、第一金属电极和第二金属电极,其中,p‑Cr2O3层位于衬底的一侧,n‑Ga2O3层的面积小于述p‑Cr2O3层的面积,n‑Ga2O3层和第二金属电极均位于p‑Cr2O3层背离衬底的一侧,n‑Ga2O3层和第二金属电极不直接接触;双层石墨烯层位于n‑Ga2O3层背离p‑Cr2O3层一侧,第一金属电极位于双层石墨烯层背离n‑Ga2O3层一侧,p‑Cr2O3层和n‑Ga2O3层形成Cr2O3/Ga2O3pn结。本发明探测器可在0V偏压下工作,具有零功耗探测紫外光信号的特点,在*跟踪、紫外通信、电晕监测等军民领域有广泛的应用。